原装现货 IRL3102PBF Infineon 晶体管 - FET，MOSFET - 单

发布时间： 2017/11/14 13:02:05 | 353 次阅读

晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

型号：

IRL3102PBF

厂商:
Infineon
一般信息

数据列表 IRL3102PbF;

标准包装 50

包装管件

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

其它名称 *IRL3102PBF
SP001576478

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 61A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，7V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 58nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2500pF @ 15V

Vgs（值） ±10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 89W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 13 毫欧 @ 37A，7V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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集成电路(IC)(20)

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