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现在在库 STF34N65M5 STM 晶体管 - FET,MOSFET - 单

发布时间: 2017/11/14 13:02:23 | 369 次阅读

半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧,大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁,国内的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究,特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。

型号:

STF34N65M5
厂商:STM


标准包装   50
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 MDmesh™ V
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2590pF @ 100V
Vgs(值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 35W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 110 毫欧 @ 14.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP

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