现货在库 NTB60N06 ON 晶体管 - FET，MOSFET - 单

发布时间： 2017/10/17 12:36:39 | 447 次阅读

型号：

NTB60N06

厂商：ON

标准包装	800
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	-
其它名称	NTB60N06T4GOS NTB60N06T4GOS-ND NTB60N06T4GOSTR

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	60A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）	81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）	3220pF @ 25V
Vgs（值）	±20V
FET 功能	-
功率耗散（值）	2.4W（Ta），150W（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	14 毫欧 @ 30A，10V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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