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代理现货 IRFZ44N Infineon 晶体管 - FET，MOSFET - 单
发布时间： 2017/10/17 12:36:21 | 387 次阅读
1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是十大半导体制造商之一。该公司在亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂，在九个国家设有16个研发中心，1998年员工约25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
型号：
| IRFZ44N |
Infineon
标准包装 
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRFZ44NPBF
94-4305PBF
94-4305PBF-ND
SP001565354
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
49A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
1470pF @ 25V
Vgs（值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（值）
94W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
17.5 毫欧 @ 25A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
|
标准包装
|
50 |
|---|---|
|
包装
|
管件
|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 其它名称 |
*IRFZ44NPBF 94-4305PBF 94-4305PBF-ND SP001565354 |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 49A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On， Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 63nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 1470pF @ 25V |
| Vgs（值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 94W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 17.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |