制造商编号：

BSM75GD120DN2

制造商：Infineon Technologies

配置:      Full Bridge    

集电极—发射极大电压 VCEO:      1200 V  

集电极—射极饱和电压:      2.5 V     

在25 C的连续集电极电流: 103 A    

栅极—射极漏泄电流:  320 nA  

Pd-功率耗散: 520 W   

封装 / 箱体: EconoPACK 3A     

小工作温度:      - 40 C    

大工作温度:      + 150 C 

封装:      Tray

商标:      Infineon Technologies

高度:      17 mm  

长度:      122 mm

栅极/发射极大电压: 20 V      

安装风格:      Chassis Mount     

产品类型:      IGBT Modules      

子类别:  IGBTs

公司简介：

晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！