制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRF2805LPBF

供应商   

Infineon Technologies

描述

MOSFET N-CH 55V 135A TO262

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

零件状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

135A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）

4.7 毫欧 @ 104A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）

230 nC @ 10 V

Vgs（大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）

5110 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（大值）

200W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-262

封装/外壳

TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

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