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晶体管 - IGBT - 模块 FF450R12ME4BOSA1
发布时间: 2022/10/22 14:13:50 | 133 次阅读
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FF450R12ME4BOSA1
包装托盘
产品状态在售
IGBT 类型沟槽型场截止
配置半桥
电压 - 集射极击穿(大值)1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(大值)675 A
功率 - 大值2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(大值)2.1V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(大值)3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)28 nF @ 25 V
输入标准
NTC 热敏电阻是
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!