MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFTS9342TRPBFTR 
SP001571652 
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 40 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.4V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 595pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6
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