厂商  Vishay Siliconix

型号  SI2325DS-T1-E3

一般信息

数据列表 SI2325DS;

标准包装   3,000

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI2325DS-T1-E3TR

SI2325DST1E3

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 510pF @ 25V

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 750mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.2 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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