制造商 Fairchild/ON Semiconductor

制造商零件编号 FQP8N80C

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

数据列表 FQP8N80C, FQPF8N80C;

TO220B03 Pkg Drawing;

标准包装   50

包装   管件  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 QFET®

其它名称 FQP8N80C-ND

FQP8N80CFS

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2050pF @ 25V

Vgs（值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（值） 178W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.55 欧姆 @ 4A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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