制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

制造商零件编号 HN1C01FE-GR,LF

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

数据列表 HN1C01FE;

标准包装   4,000

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

系列 -

其它名称 HN1C01FE-GR (5L,F,T

HN1C01FE-GR(5L,F,T

HN1C01FE-GR(5LFTTR

HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND

HN1C01FE-GR,LF(B

HN1C01FE-GR,LF(T

HN1C01FE-GRLFTR

规格

晶体管类型 2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（值） 150mA

电压 - 集射极击穿（值） 50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（值） 100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 200 @ 2mA，6V

功率 - 值 100mW

频率 - 跃迁 80MHz

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

供应商器件封装 ES6

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