型号  AOD516

类别     分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商  Alpha & Omega Semiconductor Inc.  

系列     -          

FET 类型    N 沟道

技术     MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）    30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）   18A（Ta），46A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）   2.2V @ 250μA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）    33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）    1229pF @ 15V  

Vgs（值）   ±20V   

FET 功能    -    

功率耗散（值） 2.5W（Ta），50W（Tc）    

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）     5 毫欧 @ 20A，10V

工作温度     -55°C ~ 175°C（TJ）    

安装类型     表面贴装    

供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）

封装/外壳    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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