制造商 Rohm Semiconductor

制造商零件编号 RSQ030P03TR

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

数据列表 RSQ030P03;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 6nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 440pF @ 10V

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.25W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 80 毫欧 @ 3A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

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