厂商 Vishay Siliconix

型号 SI2302CDS-T1-GE3

一般信息

标准包装   3,000

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI2302CDS-T1-GE3TR

SI2302CDST1GE3

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 850mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -

Vgs（值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（值） 710mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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2017CS SHOW盛大开幕 力举华南地区年度PCB行业盛会

“天鸽”既过，晴空鹏城！今日，由广东省电路板行业协会、深圳市线路板行业协会、台湾电路板协会、励展博览集团、中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会共同主办的“2017第四届深圳国际电路板采购展览会”(2017 CS Show )在深圳会展中心2号馆盛大开幕。