厂 商 ON Semiconductor

型号NTDV20N06LT4G-VF01

描述 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

一般信息

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 NTDV20N06LT4G

NTDV20N06LT4G-ND

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 32nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 990pF @ 25V

Vgs（值） ±15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.36W（Ta），60W（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 48 毫欧 @ 10A，5V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK-3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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