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准现货 STK820 ST 分立半导体产品
发布时间: 2017/8/17 13:30:41 | 416 次阅读
零件编号 497-6324-2-ND
制造商 STMicroelectronics
制造商零件编号 STK820
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
一般信息
数据列表 STK820;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 STripFET™
其它名称 497-6324-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1425pF @ 25V
Vgs(值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(值) 5.2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 7.3 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PolarPak®
封装/外壳 PolarPak®
一般信息
数据列表 STK820;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 STripFET™
其它名称 497-6324-2
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1425pF @ 25V
Vgs(值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(值) 5.2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 7.3 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PolarPak®
封装/外壳 PolarPak®
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