威世接下来的半导体公司收购发生在2001年，购买了英飞凌科技(Infineon Technologies)公司的红外线元件业务。跟着在2001年收购了二极管和整理器的制造商通用半导体(General Semiconductor)。英飞凌(Infineon)的红外元件部分和通用半导体(General Semiconductor)的业务补充增强了威世现有的特洛芬肯(Telefunken)和硅尼克斯(Siliconix)的业务能力，并推进威世步入了分立半导体制造商的行列。
型号：
厂商：
一般信息
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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30V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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9A（Ta）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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3V @ 250μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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20nC @ 5V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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-
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Vgs（值）
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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1.5W（Ta）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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11 毫欧 @ 14A，10V
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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PowerPAK® 1212-8
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