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制造商
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ON Semiconductor
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制造商零件编号
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FDS8817NZ
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描述
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MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
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无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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湿气敏感性等级 （MSL）
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1（无限）
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一般信息
规格
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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30V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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15A（Ta）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
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3V @ 250μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
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45nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
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2400pF @ 15V
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Vgs（值）
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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2.5W（Ta）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
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7 毫欧 @ 15A，10V
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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8-SO
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封装/外壳
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8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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