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原装现货代理 C2M0280120D Cree 晶体管 - FET，MOSFET - 单

发布时间： 2017/11/16 13:28:05 | 372 次阅读

科锐成立于1987年，是美国上市公司(1993年，纳斯达克:CREE)，为LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者

型号：

C2M0280120D

厂商：

Cree

一般信息

数据列表	C2M0280120D;
标准包装	30
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	Z-FET™

规格

FET 类型	N 沟道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	2.8V @ 1.25mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）	20.4nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）	259pF @ 1000V
Vgs（值）	+25V，-10V
FET 功能	-
功率耗散（值）	62.5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	370 毫欧 @ 6A，20V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3

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