原装现货 NDFPD1N150CG ON 晶体管 - FET，MOSFET - 单

发布时间： 2017/11/14 13:00:53 | 371 次阅读

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。

型号：
NDFPD1N150CG

厂商：ON

数据列表	NDFPD1N150C;
标准包装	50
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 1500V（1.5kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 4.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 80pF @ 30V

Vgs（值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2W（Ta），20W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 150 欧姆 @ 50mA，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3 整包

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FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）	4.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）	80pF @ 30V
Vgs（值）	±30V
FET 功能	-
功率耗散（值）	2W（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	150 欧姆 @ 50mA，10V
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3 整包

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