FDS6299S是设计来取代单一的SO-8 MOSFET和肖特基二极管同步DC：DC电源。这30V MOSFET的设计限度地提高功率转换效率，提供了一个低RDS（ON）和低栅极电荷。

该FDS6299S包括MOSFET与肖特基二极管单片集成的组合。应用•同步整流DC / DC转换器 - •笔记本Vcore电压低侧开关•负载点低侧开关特性•21 A，30 V的RDS（ON）=3.9MΩ@ VGS=10 V的RDS（ON）=5.1MΩ @ VGS=4.5 V•包括SyncFET体二极管肖特基•高性能沟道技术极低的RDS（ON）和快速开关•高功率和电流处理能力•100％RG（栅极电阻）测试•终止是无铅和RoHS兼容

Fairchild

数据列表 FDS6299S;

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 81nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3880pF @ 15V

Vgs（值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.9 毫欧 @ 21A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

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