PDRV5033FAEDBZRQ1是一款磁性传感器，磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔(Hall)元件，各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁电阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件为敏感元件的磁传感器。TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构;相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构;相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。

产品特点：

标准包装   3,000

类别 传感器，变送器

产品族 磁性传感器 - 开关（固态）

功能 全极开关

技术 霍尔效应

极化 任意一种

感应范围 ±6mT 跳闸，±0.5mT 释放

测试条件 -40°C ~ 125°C

电压 - 电源 2.7 V ~ 38 V

电流 - 电源（值） 2.7mA（标准）

电流 - 输出（值） 30mA

输出类型 开路漏极

特性 温度补偿

工作温度 -40°C ~ 150°C（TA）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3

安富利（深圳）实业发展有限公司，的配单。一手货源，价格优势，所出的物料，保证原装，正规代理渠道，请放心购买！本公司为一般纳税人，可开17%增值税发票，欢迎垂询！

推荐型号：