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IRFHS8342TRPBF晶体管8.8A QFN-8 MOSFE单
发布时间： 2017/10/12 1:32:00 | 552 次阅读
描述 MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
详细描述 表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 8-PQFN（2x2）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.35V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 8.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 600pF @ 25V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 8.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（2x2）
封装/外壳 8-PowerVDFN
主营范围：公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦; IGBT,可控硅,整流桥模块:仙童(Fairchid)，MITSUBISHI (三菱)，东芝，FUJI富士，SEMIKRON西门康,，三社,三垦, IXYS,IR,EUPEC,. ARTESYN，SANREX，COSEL，SANREX，SANYO 电阻:AVX、VISHAY、国巨、muRata村田、厚生、旺全、Panasonic松下、ROHM罗姆、TDK、风华; 电容:AVX、KEMET基美、VISHAY威世、YAGEO国巨、SAMSUNG三星、Skywell泽天、风华高科; 电感: VISHAY威世, 、muRata村田、YAGEO国巨、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕 、Sunlord顺络、AEM、 AVX、Panasonic; 晶振:muRata村田、EPSON、Sunlord顺络、Kyocera京瓷、台晶TXC、TDK、泰晶; 其他:熔断器(LITTELFUSE力特，CONQUER功得，HOLLY好利)，连接器(PHOENIX菲尼克斯，PRONIC普尼克，UNICONN优尼康)接线端子(CNNT康奈特)，继电器(Panasonic松下，欧姆龙OMRON，松乐，港宏等)，杜邦线，短路帽，门磁、干簧管、浮球开关，线材(HDMI线，VGA线，1394线，DVI线，音频视频线等其它线材)