制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IMW65R107M1HXKSA1

包装管件

产品状态在售

FET 类型N 通道

技术SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）142 毫欧 @ 8.9A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5.7V @ 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）15 nC @ 18 V

Vgs（大值）+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）496 pF @ 400 V

FET 功能-

功率耗散（大值）75W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装PG-TO247-3-41

封装/外壳TO-247-3

公司简介：

晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！