制造商编号：

IXFB210N30P3

制造商：IXYS

安装风格:      Through Hole      

封装 / 箱体: PLUS-264-3  

晶体管极性:  N-Channel    

通道数量:      1 Channel     

Vds-漏源极击穿电压:   300 V    

Id-连续漏极电流: 210 A    

Rds On-漏源导通电阻: 14.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  - 20 V, + 20 V     

Vgs th-栅源极阈值电压:     5 V 

Qg-栅极电荷: 268 nC  

 小工作温度:      - 55 C    

 大工作温度:      + 150 C 

Pd-功率耗散: 1.89 kW

通道模式:      Enhancement      

商标名:  HiPerFET      

系列:      IXFB210N30 

封装:      Tube     

商标:      IXYS      

配置:      Single    

下降时间:      13 ns     

正向跨导 -  小值:     60 S

高度:      26.59 mm    

长度:      20.29 mm    

产品类型:      MOSFET

上升时间:      25 ns

公司简介：

晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！