制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STW26NM60N

描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 165 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 60nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（值） 140W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

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