制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

BSZ097N04LSGATMA1

描述 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 14μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 24nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1900pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.1W（Ta），35W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TSDSON-8

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