制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FDC6506P

描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 170 毫欧 @ 1.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 3.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 190pF @ 15V

功率 - 值 700mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装 SuperSOT™-6

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