厂商 Renesas Electronics America

型号 RJK5020DPK-00#T0

一般信息

标准包装   1

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 126nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5150pF @ 25V

Vgs（值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（值） 200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 118 毫欧 @ 20A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3P

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

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