Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。英飞凌的业务遍及，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2012财年(截止到2012年9月份)，公司实现销售额39亿欧元。

型号：

厂商：

Infineon 

标准包装	4,000
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET®

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.9A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）	15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）	330pF @ 25V
Vgs（值）	±30V
FET 功能	-
功率耗散（值）	2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	280 毫欧 @ 1.14A，10V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装

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